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產(chǎn)品
- 整流器件類(lèi)
  - 橋堆
    
    軟橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    通過(guò)優(yōu)化二極管Ta/Tb(開(kāi)通時(shí)間/關(guān)斷時(shí)間)較軟的恢復(fù)特性，大幅減少諧波振蕩的發(fā)生，從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規(guī)格，例如X電容，共模電感，差模電感等。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導(dǎo)特性；降低AC輸入線(xiàn)雜散電感；通過(guò)橋堆中整流二極管較平滑的恢復(fù)特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    節(jié)省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
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    普通橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    整流橋產(chǎn)品是由四只整流硅芯片作橋式連接，有四個(gè)引出腳。兩只二極管負(fù)極的連接點(diǎn)是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點(diǎn)是全橋直流輸出端的“負(fù)極”，外用絕緣塑封而成。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    整流橋
    
    整流橋當(dāng)中的整流，是通過(guò)二極管的單向?qū)ㄐ詠?lái)完成工作；簡(jiǎn)單點(diǎn)說(shuō)，二極管是單向的，它是正向?qū)ê头聪蚪刂?。二極管只允許電流單向通過(guò)，所以將其接入交流電路時(shí)，能使電路中的電流只按單向流動(dòng)，即所謂“整流”。
    
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    肖特基橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    肖特基整流橋產(chǎn)品是由4顆肖特基硅二極管橋式連接，有四個(gè)引出腳。兩只二極管負(fù)極的連接點(diǎn)是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點(diǎn)是全橋直流輸出端的“負(fù)極”，外用絕緣朔料封裝而成。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    肖特基整流橋
    
    肖特基整流橋，有更低的壓降與更快的開(kāi)關(guān)速度，在高頻、低電壓、大電流整流電路中有更低的溫度表現(xiàn)與更好的效率提升。
    
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    低壓降橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    LOW VF整流橋產(chǎn)品是由四只低壓降整流硅芯片作橋式連接，有四個(gè)引出腳。兩只二極管負(fù)極的連接點(diǎn)是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點(diǎn)是全橋直流輸出端的“負(fù)極”，外用絕緣塑封而成。LOW VF即是正向壓降極低的整流橋。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    低壓降橋
    
    所謂LOW VF整流橋是指正向壓降低于普通整流橋的正向壓降，根據(jù)熱量計(jì)算公式 Q =I2Rt=Pt=UIt=U2t/R=I2Rt，電壓越低，所發(fā)出的熱量越小，相對(duì)應(yīng)的有功功率就越高；所以，同功率電路應(yīng)用中LOW VF整流橋的效率更高，熱量更低。
    
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    逆變橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    逆變橋是由四顆快恢復(fù)二極管整合一起，即將四顆芯片封裝到一個(gè)支架上作橋式連接，有四個(gè)引出腳。兩只二極管負(fù)極的連接點(diǎn)是直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點(diǎn)是直流輸出端的“負(fù)極”，另兩個(gè)引腳是交流輸入端，外用絕緣塑料封裝而成。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    逆變橋
    
    逆變橋工作頻率高（10KHz-70KHz）,PCBA面積小；反向恢復(fù)時(shí)間為75ns，反向恢復(fù)時(shí)間較短, 雜散電容相對(duì)較小，所以對(duì)EMI 改善有優(yōu)勢(shì)。
    
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    采樣橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    一種集成采樣功能的整流橋，即通過(guò)采集電路中的輸入電流，實(shí)現(xiàn)功率分配、電路保護(hù)。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    較低的電阻溫度系數(shù)，較寬的使用溫度范圍（480℃以下）
    
    具有較低的電阻溫度系數(shù)，溫漂小，輸出功率相對(duì)穩(wěn)定.精密電阻封裝到整流橋內(nèi)部，可以利用散熱片對(duì)精密電阻散熱，有效降低精密電阻溫度，減少溫升對(duì)電阻阻值的影響
    
    2
    
    簡(jiǎn)化PCB裝配工序，降低裝配成本，一致性高
    
    簡(jiǎn)化PCB裝配工序，降低裝配成本，性?xún)r(jià)比高；改善外置精密電阻安裝工藝復(fù)雜、批量生產(chǎn)時(shí)電阻值一致性不好、不良率高的問(wèn)題，提升功率一致性、穩(wěn)定性。大批量生產(chǎn)時(shí)一致性高。
    
    3
    
    減少干擾
    
    改善了精密電阻在線(xiàn)路板上跨接通過(guò)，主回路過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致干擾增加和采集精度偏差的問(wèn)題
    
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    開(kāi)關(guān)橋
    
    產(chǎn)品概述
    
    開(kāi)關(guān)橋是由四只高速開(kāi)關(guān)二極管作橋式連接，有四個(gè)引出腳。兩只二極管負(fù)極的連接點(diǎn)是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點(diǎn)是全橋直流輸出端的“負(fù)極”，外用絕緣塑封而成。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    開(kāi)關(guān)橋
    
    開(kāi)關(guān)橋有極低的正向壓降與極高的開(kāi)關(guān)速度，利用其極低的損耗和極快的開(kāi)關(guān)速度，在電網(wǎng)監(jiān)測(cè)、智能電表、儀器儀表等行業(yè)廣泛應(yīng)用。
    
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  - 肖特基
    
    普通肖特基
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德肖特基二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，具有低正向壓降的特點(diǎn)。電流涵蓋了1A到60A，電壓從40V到200V全覆蓋，可以滿(mǎn)足電源產(chǎn)品的高效率，高可靠性的需求。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    低正向壓降
    
    多種封裝，滿(mǎn)足各類(lèi)電源需求
    
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    高壓肖特基
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德高壓肖特基二極管具有較低的VF值和極低的反向漏電流Ir，體現(xiàn)出良好的低溫升特性。VRRM高達(dá)350V,電流從5A到40A全覆蓋，能更好的滿(mǎn)足高壓輸出電源的高效率、高可靠性的需求。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    反向漏電流
    
    極低的反向漏電流Ir
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿(mǎn)足各類(lèi)電源的需求
    
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    低壓降肖特基
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德 LOW VF肖特基二極管采用先進(jìn)的Trench工藝，具有較低的VF值和極低的高溫漏電流，能更好的滿(mǎn)足電源產(chǎn)品的高效率，高可靠性的需求。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    VF值
    
    較低的VF值
    
    2
    
    漏電流
    
    極低的高溫漏電流
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿(mǎn)足各類(lèi)電源需求
    
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  - 快恢復(fù)
    
    普通快恢復(fù)
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德快恢復(fù)二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，電壓從100V到1700V，電流從1A到300A,反向恢復(fù)時(shí)間從16ns到500ns ,適用于PFC電路，高頻高壓電源等。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    電壓分布
    
    豐富的電壓分布
    
    2
    
    封裝形式
    
    多種封裝形式，滿(mǎn)足各類(lèi)電源需求
    
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    LOW Trr快恢復(fù)
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德LOW Trr超快恢復(fù)二極管具有極低的反向恢復(fù)時(shí)間Trr和極低的反向恢復(fù)電荷Qrr，并具有超快的開(kāi)關(guān)速度，應(yīng)用于硬開(kāi)關(guān)條件下的PFC電路和高壓高頻電源的次級(jí)整流電路。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    TRR和QRR
    
    極低的Trr和Qrr，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快的開(kāi)關(guān)速度，減小開(kāi)關(guān)損耗。
    
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    LOW VF 快恢復(fù)
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德LOW VF快恢復(fù)二極管具有低的VF值、低漏電流，應(yīng)用于PFC電路、高頻高壓電路、次級(jí)整流電路。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    VF值和漏電流
    
    低VF值，低漏電流。
    
    2
    
    速度
    
    超快開(kāi)關(guān)速度。
    
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    共陰共陽(yáng)快恢復(fù)
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德共陰共陽(yáng)快恢復(fù)二極管具有一致性好，低VF值、低Trr、低漏電流的特性，應(yīng)用于高頻橋式整流電路，正負(fù)壓輸出整流電路、高頻高壓大電流電路。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    VF值及反向恢復(fù)時(shí)間
    
    低VF值，低反向恢復(fù)時(shí)間。
    
    2
    
    漏電流
    
    低漏電流
    
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  - 開(kāi)關(guān)管
    
    全系列
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德開(kāi)關(guān)二極管具有較快的恢復(fù)時(shí)間和高開(kāi)關(guān)速度的特性，廣泛應(yīng)用于電源、音頻、視頻、無(wú)線(xiàn)通信、工業(yè)等領(lǐng)域。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    TRR
    
    較小的Trr (反向恢復(fù)時(shí)間）,開(kāi)關(guān)速度快
    
    2
    
    封裝體積
    
    封裝小，體積小
    
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- 保護(hù)器件類(lèi)
  - TVS
    
    TVS二極管
    
    產(chǎn)品概述
    
    瞬態(tài)抑制二極管，TVS。全系列產(chǎn)品都有。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    TVS二極管
    
    1、TVS是一種高品質(zhì)的突波吸收器，以二極管（伏安特性）并聯(lián)在電路中。自然界的感應(yīng)雷擊、靜電釋放、電子裝置的電流浪涌都是讓現(xiàn)代電子系統(tǒng)面臨嚴(yán)峻的考驗(yàn)。在電路中產(chǎn)生瞬態(tài)電壓時(shí)，TVS利用雪崩原理，以P秒級(jí)的反應(yīng)速度瞬間起到分流限壓的作用，從而保護(hù)負(fù)載不被損壞。
    
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  - ESD
    
    靜電抑制器
    
    產(chǎn)品概述
    
    抗靜電器件，ESD。針對(duì)主流競(jìng)品，我司均有可替代產(chǎn)品，ESD類(lèi)我司接受定制物料。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    ESD
    
    ESD，(Transient Voltage Suppressor)（半導(dǎo)體）靜電抑制器，小型化的TVS，與TVS有著一樣的特性和工作方式。只是隨著把內(nèi)部芯片面積的減少，來(lái)獲得了體積小，電容值?。娙莺腕w積是成正比），封裝方式多樣的特點(diǎn)。主要應(yīng)用于一些小型號(hào)的便攜設(shè)備的防靜電和抗小型脈沖群的處理。對(duì)于ESD TVS 多路防護(hù)的產(chǎn)品，也叫陣列產(chǎn)品(IC)。
    
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  - GDT
    
    GDT
    
    產(chǎn)品概述
    
    陶瓷氣體放電管，GDT。全系列產(chǎn)品都有，目前正在開(kāi)發(fā)超薄型產(chǎn)品。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    GDT
    
    GDT“陶瓷氣體放電管”是一種陶瓷封裝的、內(nèi)充低壓惰性氣體的短路型保護(hù)器件，一般分二電極和三電極兩種結(jié)構(gòu)。基本的工作原理是氣體放電。當(dāng)極間的電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)氣體的擊穿強(qiáng)度時(shí)，就引起間隙放電，從而限制了極間的電壓，使與放電管并聯(lián)的其它器件得到保護(hù)。
    
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  - MOV
    
    MOV
    
    產(chǎn)品概述
    
    氧化鋅壓敏電阻，MOV。我司只做貼片類(lèi)產(chǎn)品SMD-MOV，以及復(fù)合功能型產(chǎn)品GMOV。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    MOV
    
    MOV是一種以氧化鋅為主要成分的金屬氧化物半導(dǎo)體非線(xiàn)性電阻原件，所謂壓敏，就是對(duì)電壓敏感，當(dāng)電壓達(dá)到一定數(shù)值的時(shí)候，元件開(kāi)始動(dòng)作。
    
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  - TSS
    
    TSS
    
    產(chǎn)品概述
    
    半導(dǎo)體放電管，TSS。全系列產(chǎn)品都有。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    TSS
    
    TSS是一種PNPN組件,一個(gè)無(wú)門(mén)電極的自由電壓控制的可控硅,當(dāng)電壓超過(guò)它的斷態(tài)峰值電壓(或稱(chēng)雪崩電壓)時(shí)，半導(dǎo)體放電會(huì)將瞬態(tài)電壓箝制到組件的開(kāi)關(guān)電壓(或稱(chēng)轉(zhuǎn)折電壓)值之內(nèi)。電壓繼續(xù)增大時(shí)，半導(dǎo)體放電管由于負(fù)阻效應(yīng)進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，只有在當(dāng)電流小于維持電流時(shí)，組件才復(fù)位并恢復(fù)到它的高阻抗?fàn)顟B(tài)。
    
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- 功率器件類(lèi)
  - MOS
    
    SGT MOS
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德SGT MOS 具有極低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ，并具有開(kāi)關(guān)速度快等特點(diǎn)，能滿(mǎn)足產(chǎn)品溫升和效率的要求。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值
    
    2
    
    速度
    
    開(kāi)關(guān)速度快
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿(mǎn)足各類(lèi)電源需求
    
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    Planar MOS
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有強(qiáng)的EAS性能等特點(diǎn)，能滿(mǎn)足產(chǎn)品高效和可靠的要求。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    RDs(on)
    
    低的RDs(on)和Ciss
    
    2
    
    EAS性能
    
    強(qiáng)的EAS性能
    
    3
    
    封裝
    
    多種封裝，滿(mǎn)足各類(lèi)電源需求
    
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    Trench Mos
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德Trench MOS 具有較低的RDs(on) 、Qg和Ciss ，開(kāi)關(guān)速度快并具有強(qiáng)的EAS性能和抗短路性能等特點(diǎn)，能滿(mǎn)足產(chǎn)品高效和可靠的要求。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    FOM值
    
    較低的FOM（RDs(on)*Qg)值。
    
    2
    
    EAS性能
    
    強(qiáng)的EAS性能
    
    3
    
    抗短路
    
    抗短路性能
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿(mǎn)足各類(lèi)電源需求
    
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    SJ(超結(jié))MOS
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德SJ（超結(jié)）MOS采用多層外延工藝，具有低RDS（on）、結(jié)電容小、Qg 小，易驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，使電源更容易實(shí)現(xiàn)高效率，高可靠性。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    RDS(ON)
    
    低RDS（on）（詳細(xì)請(qǐng)看產(chǎn)品選型列表）
    
    2
    
    結(jié)電容
    
    結(jié)電容小、Qg小、易驅(qū)動(dòng)
    
    3
    
    速度
    
    開(kāi)關(guān)速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝，滿(mǎn)足各類(lèi)電源需求
    
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- 第三代半導(dǎo)體
  - SIC 二極管
    
    碳化硅二極管
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德碳化硅二極管具極小的反向恢復(fù)時(shí)間、高浪涌電流、高效可靠的特性，封裝主要有PDFN5*6、TO-252、TO-220、TO-247等。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    TRR
    
    極小的TRR
    
    2
    
    浪涌
    
    高浪涌電流
    
    3
    
    速度
    
    開(kāi)關(guān)速度快
    
    4
    
    封裝
    
    多種封裝
    
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    碳化硅MOS管
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德碳化硅mos管具有低RDS（on）高開(kāi)關(guān)速度，高效可靠，封裝TOLL、TO-247等
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    RDS(on)
    
    低導(dǎo)通電阻（RDS（on））
    
    2
    
    速度
    
    高開(kāi)關(guān)速度
    
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- EMI改善
  - 吸收二極管
    
    30M-60M輻射
    
    產(chǎn)品概述
    
    沃爾德吸收二極管具有較長(zhǎng)的存儲(chǔ)時(shí)間和較小的Irr,同時(shí)具有較長(zhǎng)的平緩反向恢復(fù)特性，能平緩恢復(fù)電流，應(yīng)用于電源的RCD吸收電路，從而使電源產(chǎn)品達(dá)到更好的EMI特性，滿(mǎn)足電源產(chǎn)品高效率、高可靠性的需求。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    改善EMI
    
    SOD-123FL封裝，降低空載損耗，對(duì)30MHZ~60MHZ的EMI輻射有改善。
    
    2
    
    提升效率
    
    10%負(fù)載時(shí)，提升轉(zhuǎn)換效率2%~3%, 綜合效率提升約0.8%
    
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  - 軟橋
    
    9K-1M傳導(dǎo)
    
    產(chǎn)品概述
    
    通過(guò)優(yōu)化二極管Ta/Tb(開(kāi)通時(shí)間/關(guān)斷時(shí)間)較軟的恢復(fù)特性，大幅減少諧波振蕩的發(fā)生，從而減少或者減小橋堆周邊EMI抑制器件的使用或者使用規(guī)格，例如X電容，共模電感，差模電感等。
    
    產(chǎn)品特點(diǎn)
    
    1
    
    1、改善EMI/EMC
    
    改善低頻傳導(dǎo)特性；降低AC輸入線(xiàn)雜散電感；通過(guò)橋堆中整流二極管較平滑的恢復(fù)特性，抑制交流輸入電壓整流后造成的高頻干擾。
    
    2
    
    2、節(jié)省BOM成本
    
    有效減少輸入端共模電感與X電容的使用；由普通共模電感+X電容+差模電感改為π型濾波（CLC濾波），降低BOM成本。
    
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應(yīng)用領(lǐng)域
技術(shù)創(chuàng)新
技術(shù)社區(qū)
質(zhì)量和體系
關(guān)于沃爾德
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